2Т9175В

Биполярные транзисторы разработки ФГУП "НИИЭТ", предназначенные для носимых и подвижных средств радиосвязи

Модераторы: gurzzza, dvi

Ответить
Аватара пользователя
Marketing
Супермодератор
Сообщения: 214
Зарегистрирован: 11 ноя 2009, 14:27
Предприятие: ОАО "НИИЭТ"
Откуда: Воронеж
Контактная информация:

2Т9175В

Сообщение Marketing » 17 ноя 2009, 14:38

Биполярный транзистор 2Т9175В.

Диапазон частот: 200-512 МГц;
PВЫХ = 5 Вт;
Кур min = 4 (для верхней частоты диапазона);
КПД(min) = 55 %;
UПИТ = 7,5 В;
Корпус КТ-83

katya
Сообщения: 1
Зарегистрирован: 15 апр 2015, 19:54

Re: 2Т9175В

Сообщение katya » 15 апр 2015, 19:57

Здравствуйте, скажите, есть ли более подробные параметры для этого транзистора? Такие как rб, Lб, Lэ?
и Есть ли подробный расчет усилителя мощности на данном транзисторе, представленного в описании к транзистору? спасибо :geek:

MPHV
Сообщения: 5
Зарегистрирован: 26 дек 2014, 14:09

Re: 2Т9175В

Сообщение MPHV » 23 апр 2015, 12:53

katya, добрый день!

rб = 706 Ом; Lб = 1,8 нГн; Lэ = 0,28 нГн; Lк = 1,0 нГн.

К сожалению, расчёт усилителя мощности на данном транзисторе отсутствует.

Ответить

Вернуться в «Для носимых и подвижных средств радиосвязи»

Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и 1 гость