силовые транзисторы на основе GaN

Модераторы: Alis, pip, gurzzza, Alis, pip, gurzzza, Alis, pip, gurzzza

Ответить
vasmor
Сообщения: 1
Зарегистрирован: 27 окт 2020, 15:53
Предприятие: ООО "Источник"

силовые транзисторы на основе GaN

Сообщение vasmor » 27 окт 2020, 16:05

На сайте НИИЭТ появилась информация о силовых транзисторах на GaN. Если авторы называют их с "индуцируемым каналом", то появляются сомнения в том , что это не фейк. Вообще-то специалисты по транзисторам так никогда не выразятся, так как канал может быть индуцированным, а не индуцируемым.

Аватара пользователя
Alis
Сообщения: 2
Зарегистрирован: 29 май 2020, 13:36
Предприятие: АО "НИИЭТ"

Re: силовые транзисторы на основе GaN

Сообщение Alis » 27 окт 2020, 16:24

Спасибо большое. Это опечатка. Сейчас поправим

Ответить

Вернуться в «Новые разработки на основе GaN»

Пользователи онлайн

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и 1 гость