1887ВЕ7Т, 1887ВЕ8Т

Модераторы: ea, Alis, pip, gurzzza, sya, _sva_

avp
Сообщения: 34
Зарегистрирован: 22 сен 2017, 12:40
Предприятие: АО НИИЭТ

Re: 1887ВЕ7Т, 1887ВЕ8Т

Сообщение avp »

mishooter писал(а): 15 авг 2018, 07:29 Обязателен ли файл описания микроконтроллера для программирования в АВР студио? или можно выбирать атмега 128? если нужен, то где его взять, на сайте не нашёл.
Здравствуйте, извините за задержку с ответом. Если еще актуально. Файл описания необходим для программирования МК, если память программ занимает область NRWW, в других случаях можно выбирать мегу128. Ссылка на файл
https://niiet.ru/wp-content/uploads/pec ... 87BE7T.zip
AAD
Сообщения: 1
Зарегистрирован: 01 фев 2019, 00:36
Предприятие: АО"КБСМ"

Re: 1887ВЕ7Т, 1887ВЕ8Т

Сообщение AAD »

В микроконтроллере 1887ВЕ7Т выявлены проблемы:
1) Не активизируется UART1 (выводы РD2, PD3), в режиме ввода/вывода выходы
работают.
2) При использовании интерфейса внешней памяти не удается увеличить
состояние ожидания, в соответствии с рекомендациями РЭ.
Программные фрагменты проверялись на аналоге (АТ128) - работает прекрасно.
Образцы микроконтроллеров приняты 13.06.18.
avp
Сообщения: 34
Зарегистрирован: 22 сен 2017, 12:40
Предприятие: АО НИИЭТ

Re: 1887ВЕ7Т, 1887ВЕ8Т

Сообщение avp »

AAD писал(а): 04 фев 2019, 10:33 В микроконтроллере 1887ВЕ7Т выявлены проблемы:
1) Не активизируется UART1 (выводы РD2, PD3), в режиме ввода/вывода выходы
работают.
2) При использовании интерфейса внешней памяти не удается увеличить
состояние ожидания, в соответствии с рекомендациями РЭ.
Программные фрагменты проверялись на аналоге (АТ128) - работает прекрасно.
Образцы микроконтроллеров приняты 13.06.18.
Здравствуйте! Необходимо отключить режим совместимости с АТ103 (fuse bit М103С)
Dmitry76
Сообщения: 1
Зарегистрирован: 26 фев 2019, 08:58
Предприятие: АО ОНИИП

Re: 1887ВЕ7Т, 1887ВЕ8Т

Сообщение Dmitry76 »

Здравствуйте. возможно ли получить официальный ответ когда планируется запуск в серийное производство микроконтроллеров с напряжением питания 3,3 вольта(если вообще планируется) и если возможно то что для этого нужно сделать.
sya
Специалист
Сообщения: 240
Зарегистрирован: 19 ноя 2009, 14:40
Откуда: Воронеж
Контактная информация:

Re: 1887ВЕ7Т, 1887ВЕ8Т

Сообщение sya »

Dmitry76 писал(а): 26 фев 2019, 09:07 Здравствуйте. возможно ли получить официальный ответ когда планируется запуск в серийное производство микроконтроллеров с напряжением питания 3,3 вольта(если вообще планируется) и если возможно то что для этого нужно сделать.
Здравствуйте!

На текущий момент партия схем 1887ВЕ7Т успешно прошла испытания для 3,3В, 8 МГц, идут испытания для 3,3В, 12 МГц.
По результатам испытаний в технические условия будут внесены соответствующие изменения (ориентировочно 2-й квартал 2019г.)
Для получения официального ответа требуется официальный запрос.
Artem_k_85
Сообщения: 14
Зарегистрирован: 18 авг 2015, 14:06

Re: 1887ВЕ7Т, 1887ВЕ8Т

Сообщение Artem_k_85 »

Здравствуйте! Возможно ли программирование контроллера 1887ВЕ7Т c помощью программатора ChipProg-48 по аналогии с атмега 128? Если нет, то какие порекомендуете средства для программирования по ISP?
avp
Сообщения: 34
Зарегистрирован: 22 сен 2017, 12:40
Предприятие: АО НИИЭТ

Re: 1887ВЕ7Т, 1887ВЕ8Т

Сообщение avp »

Artem_k_85 писал(а): 15 мар 2019, 15:47 Здравствуйте! Возможно ли программирование контроллера 1887ВЕ7Т c помощью программатора ChipProg-48 по аналогии с атмега 128? Если нет, то какие порекомендуете средства для программирования по ISP?
Здравствуйте,
Программирование всего массива памяти будет не возможно, т.к. в области NRWW размер буфера страницы отличается. Если код программы не занимает область NRWW, то программирование пройдет успешно.
В качестве программаторов можно использовать любой, который поддерживает среда АВР студио до версии 7.0 (STK500, STK600, AVRISP, JTAGICE mkII, JTAGICE3, ATMELICE и т.п.) при использовании файла описания МК 1887ВЕ7Т.xml, на сайте он выложен.
https://niiet.ru/wp-content/uploads/pec ... 87BE7T.zip
Так же есть наш программатор КФДЛ_301411_247РЭ.
Feruz
Сообщения: 2
Зарегистрирован: 28 июн 2018, 12:29
Предприятие: SFU

Re: 1887ВЕ7Т, 1887ВЕ8Т

Сообщение Feruz »

Скажите пожалуйста, какая все-таки максимальная рабочая частота у 1887ВЕ7Т?
Существуют разногласия. В документации обозначено 8 МГц, в этой ветке форума есть упоминание что 16 МГц.
В данный момент и при нормальных условиях МК работает на 14 МГц; существует ли опасность нестабильной работы на этой частоте?
avp
Сообщения: 34
Зарегистрирован: 22 сен 2017, 12:40
Предприятие: АО НИИЭТ

Re: 1887ВЕ7Т, 1887ВЕ8Т

Сообщение avp »

Feruz писал(а): 26 июн 2019, 12:39 Скажите пожалуйста, какая все-таки максимальная рабочая частота у 1887ВЕ7Т?
Существуют разногласия. В документации обозначено 8 МГц, в этой ветке форума есть упоминание что 16 МГц.
В данный момент и при нормальных условиях МК работает на 14 МГц; существует ли опасность нестабильной работы на этой частоте?
Здравствуйте!
На сегодняшний день в ТУ определен режим работы 5В - 16МГц.
Микроконтроллер прошел успешные испытания для 3.3В - 12МГц. В текущий момент идет процедура внесения изменения в ТУ для 3.3В - 12МГц.
MZiK
Сообщения: 1
Зарегистрирован: 16 авг 2019, 20:41
Предприятие: ПАО МЗИК

Re: Ошибка ЕЕПРОМ 1887ВЕ7Т

Сообщение MZiK »

Столкнулся с искажением EEPROM при включении питания контроллера. Прочитал форум и нашел вот эти два сообщения.
Похоже, причина действительно в этом и вероятно, причина одна и та же.
sya писал(а): 30 сен 2015, 16:31 Здравствуйте!

Вы написали –
произвольные ячейки EEPROM меняют своё содержимое в процессе работы.
Неясно, нарушение данных происходит в ячейках в пределах всего массива памяти, или в пределах какого-либо объема памяти, или одиночных ячеек?

В режиме самопрограммирования памяти данных (EEPROM) в микросхеме 1887ВЕ7Т не выполняется обнуление буфера страницы при первой записи в память данных (EEPROM), что приводит к порче данных в пределах страницы, т.к. память данных имеет постраничную организацию (32 байта) с возможностью изменения как всей страницы, так и побайтно.

Пример: При изменении байта по адресу 0x008, возможно изменение других байтов данных в пределах страницы с адресом 0x000 – 0x01F. При изменении байта по адресу 0x02A, возможно изменение других байтов данных в пределах страницы с адресом 0x020 – 0x03F.

Данное поведение проявляется только при первой записи в память данных. Запись последующих байтов не приведет к порче данных EEPROM.
Для избежания искажения данных необходимо выполнить, так называемую “холостую запись”, т.е. перед первой записью информации в память данных необходимо один раз выполнить запись байта (неважно какими данными) в любую страницу (например, которую вы не используете, допустим, последнюю в массиве памяти данных с адресом 0xFE0 – 0xFFF). Таким образом, при записи байта данных по адресу в пределах данной страницы, порча данных произойдет только в области этой страницы.
Последующие записи будут выполняться корректно в любую область памяти данных.

Независимо от описанной выше ситуации рекомендуется включать монитор питания (BOD) или использовать внешний монитор питания для предотвращения непредсказуемого поведения микроконтроллера вне предельно-допустимого режима работы, которое также может приводить к искажению данных.
sya писал(а): 30 окт 2015, 13:15 Здравствуйте!
s.w.p писал(а): Если можно, проясните этот вопрос более подробно! Понятно, что формальные требования и гарантии работоспособности задаются как в вышеприведенной цитате. Но все же для лучшего понимания:
1) при невыполнении условия "<300 мВ" возникают "уравнительные" токи между цифровой и аналоговой частью микроконтроллера?
На рисунках приведены схема и измеренная ВАХ, поясняющие электрическую связь «цифровой» и «аналоговой» шин питания (см. рисунки ниже).

Как видно из рисунков, если разность потенциалов между шинами не превышает 0,6В (по ТУ 0,3В чисто для перестраховки), то шины фактически развязаны (при равных потенциалах шин, помехи амплитудой до 0,6В (размах 1,2В), возникающие по цифровой шине в результате переключения мощных выходных буферов, не будут передаваться на шину «чистого» аналогового питания). Если разность потенциалов превышает указанное значение, возникают «уравнительные» токи, но к порче информации в EEPROM и FLASH они не имеют, ни какого отношения!
s.w.p писал(а):Они обусловлены (при)открыванием изолирующих p/n-переходов? То есть феномен легче возникает при повышенных температурах?
Нет. За исключением случая «переполюсовки» напряжения питания, изолирующие p/n-переходы всегда находятся либо в обратносмещённом состоянии, либо разность потенциалов приложенная к изолирующему p/n-переходу равна нулю. Температура здесь ни причём. Изолирующие p/n-переходы откроются только в том случае, если потенциал шины «земли» будет выше потенциала шины «питания» на величину превышающую их пороговое напряжение (порядка 0,6 В). Защита от «переполюсовки» не предусмотрена, что в данном случае, неминуемо приведёт к перегоранию металлических проводников которыми подключены открывшиеся изолирующие p/n-переходы.
Для справки, напряжение пробоя обратносмещённого p/n-перехода здесь составляет порядка 14 В.
s.w.p писал(а):2) какие еще повреждения вероятны, помимо порчи EEPROM? Влияет ли это феномен на информацию во флеш-ПЗУ (память программ)? Возможны ли необратимые повреждения МК?
Причина порчи информации в EEPROM и FLASH микросхемы заключается в следующем.
Пока напряжение «цифрового» питания при включении не достигнет значения 2,7В и не выполнится внутренняя процедура инициализации триггеров, микросхема находится в неопределенном логическом состоянии.

Схема формирования внутреннего сигнала сброса «power-on-reset» (POR) запитана именно от шины «аналогового» питания. В момент подачи «аналогового» питания блок POR,
при достижении на шине «аналогового» питания уровня напряжения 1,2В, вырабатывает сигнал сброса по включению питания от которого затем формируется общий сигнал сброса микроконтроллера. Сигнал сброса по включению питания, сформированный POR, поступает на вход схемы блокировки (защита от записи) EEPROM и FLASH, что предотвращает (на время пока микросхема находится в неопределенном состоянии) протекание случайных процессов во FLASH и EEPROM (таких как непредсказуемый запуск генератора высоковольтного напряжения, выработка случайного адреса, запуск процесса записи/стирания произвольных ячеек).

Таким образом, если задержать подачу аналогового питания относительно цифрового, например, в известном нам случае у конкретного разработчика аппаратуры была задержка в 40 мс (при этом использовался источник напряжения с очень низким выходным сопротивлением, что не позволяло подкачать потенциал через диод с шины «цифрового питания»), то искажение информации будет гарантировано.

Для защиты микроконтроллера от падения напряжения питания ниже определенной заданной величины, которое также может привести к сбою микроконтроллера, предусмотрена внутренняя схема монитора питания «brown-out-detector» (BOD). При снижении напряжения питания ниже порогового значения BOD формирует сигнал сброса, который удерживается до момента, когда напряжение питания вновь не поднимется до рабочей величины. Тем самым предотвращает непредсказуемое поведение схемы, в том числе искажение информации во FLASH и EEPROM памяти.

За исключением описанных выше случаев «убить» иформацию в EEPROM или FLASH возможно разве что радиацией.
s.w.p писал(а):3) можно ли хотя бы на качественном уровне сформулировать, какие величины уравнительных токов или их длительность или протекающий заряд (интеграл этих токов по времени) можно полагать уже опасными или, наоборот, гарантированно безопасными?
С учетом сказанного выше не вижу смысла этим заниматься.
s.w.p писал(а):4) вероятно, аналогичные требования применимы и к 1887ВЕ4? Имеются ли, в этом отношении, между ВЕ4 и ВЕ7 существенные количественные различия?
В контексте рассматриваемой в этом сообщении проблемы микросхемы 1887ВЕ4 и 1887ВЕ7 идентичны.
s.w.p писал(а):5)вероятно, также имеются какие-то ограничения на разность потенциалов между цифровой и аналоговой "землями"? Что можно полагать безопасным? Если, например, будет 50 или 100 мВ?
На самом деле шины «цифровой» и «аналоговой» «земли» напрямую объединены в кристалле.
У меня при включении питания происходило искажение данных в EEPROM, при этом искажений данных в EEPROM при первой операции записи не было. Только при включении питания, это важно.
Я не мог от этого избавиться никак - ни программными средствами, ни аппаратными. Пока не прочитал ту страницу форума, где описано искажение EEPROM при самозаписи, то, что описано в первой цитате. (напомню, что у меня такого не было).
Я сделал вот что:
В самом начале программы перед всеми операциями чтения/записи EEPROM вставил операцию холостой записи байта на последнюю страницу EEPROM, как советовали цитате №1.
И вот после этого данные в EEPROM при включении питания искажаться перестали. Совсем. НО!
Я скачал состояние EEPROM в файл и увидел, что те адреса, где хранятся данные, действительно не искажаются, а вот последняя страница, куда записываются данные самой первой "холостой" операцией записи - искажена полностью.
Отсюда я бы сделал 2 вывода:
1. При включении питания искажается не EEPROM, а вот тот самый буфер страницы, который не обнуляется при самой первой записи в EEPROM.
2. При включении питания происходит не искажение данных в EEPROM, а самопроизвольная запись вот этого необнуленного буфера страницы.
Судя по форуму, инженерам НИИЭТ проблемы с EEPROM при включении контроллера известны давно.
Есть ли какие-нибудь аппаратные или программные способы избежать искажений EEPROM при включении МК?
Ответить

Вернуться в «Микроконтроллеры RISC»