Anatoly писал(а):Здравствуйте! Подскажите, пожалуйста, корректно ли использовать в качестве внешней памяти микросхемы MRAM? Не будет ли при этом каких-то проблем? Вопрос возник, т.к. в документации почти всюду упоминается использование флэш-памяти. У нас предполагается использование Everspin Technologies MR0A08BCYS35R (
https://www.everspin.com/supportdocs/MR0A08BCYS35R)
Для микроконтроллера не имеет значения тип внешней памяти: SRAM, MRAM или Flash. Единственное, необходимо учитывать время ожидания МК при обращении к внешней памяти - оно должно быть не менее времени цикла чтения, указанного в параметрах на используемую память.
В микроконтроллере 1874ВЕ7Т предусмотрен режим работы с медленной внешней памятью. Для этого необходимо вывод Ready подключить к gnd, в этом случае время обращения к внешней памяти увеличивается за счет вставки дополнительных циклов ожидания, количество которых настраивается битами IRC0(CCR[4]) и IRC1(CCR[5]) регистра CCR.
Так при тактировании МК 20МГц, CCB=2F, вывод Ready подключен к gnd,время цикла чтения составляет 447,8нс.
При тактировании МК 20МГц, CCB=1F, вывод Ready подключен к gnd, время цикла чтения составляет 347,6нс.
При тактировании МК 20МГц, CCB=1F, вывод Ready подключен к vcc, время цикла чтения составляет 146,2нс.
Для внешнего управления задержкой при обращении к внешней памяти необходимо установить бит IRC0 и IRC1 регистра CCB для вставки циклов ожидания до тех пор, пока сигнал READY в низком состоянии. В этом случае у микросхемы памяти необходимо наличие сигнала готовности.
После сброса в контроллере формируется значение регистра CCR= 2Ch, т.е. при Ready=0, устанавливается максимальное время ожидания при обращении к внешней памяти в 3 цикла ожидания, и далее происходит считывание "пользовательского" значения CCB по адресу внешней памяти 0x2018 и контроллер переключается на работу в режиме согласно данным по адресу 0x2018.
В параметрах для MRAM MR0A08B указано Read cycle time не менее 35ns, что позволяет использовать ее с контроллером 1874ВЕ7Т и на максимальной частоте 24МГц.