силовые транзисторы на основе GaN

Модераторы: Alis, pip, gurzzza

Ответить
vasmor
Сообщения: 2
Зарегистрирован: 27 окт 2020, 15:53
Предприятие: ООО "Источник"

силовые транзисторы на основе GaN

Сообщение vasmor »

На сайте НИИЭТ появилась информация о силовых транзисторах на GaN. Если авторы называют их с "индуцируемым каналом", то появляются сомнения в том , что это не фейк. Вообще-то специалисты по транзисторам так никогда не выразятся, так как канал может быть индуцированным, а не индуцируемым.
Аватара пользователя
Alis
Сообщения: 2
Зарегистрирован: 29 май 2020, 13:36
Предприятие: АО "НИИЭТ"

Re: силовые транзисторы на основе GaN

Сообщение Alis »

Спасибо большое. Это опечатка. Сейчас поправим
Electrovoicer
Сообщения: 1
Зарегистрирован: 06 мар 2021, 23:51
Предприятие: Sinftech

Re: силовые транзисторы на основе GaN

Сообщение Electrovoicer »

Здравствуйте, очень интересно!
Разрабатываем и производим силовые модули на GaN http://revogan.sinftech.com/
Хотелось бы получить больше информации по вашим разработкам, предложить сотрудничество. Прошу мне дать контакты для связи.
Анатолий_2804
Сообщения: 1
Зарегистрирован: 16 фев 2023, 10:00
Предприятие: МГТУ им. Н.Э. Баумана

Re: силовые транзисторы на основе GaN

Сообщение Анатолий_2804 »

Добрый день,

есть ли возможность получить более подробную информацию (включая S параметры.) по характеристикам транзисторов 6П9145В2 и 6П9140А ? К сожалению, информации доступной на сайте недостаточно.

Спасибо!
ea
Администратор
Сообщения: 19
Зарегистрирован: 10 окт 2014, 09:08

Re: силовые транзисторы на основе GaN

Сообщение ea »

Здравствуйте. Что касается "индуцированного канала", то в вообще по старому, но действующему ГОСТ 19095-73 - это называется "полевой транзистор, работающий в режиме обогащения".

В новых ГОСТ (https://fgis.gost.ru/share/page/rsprs/n ... 3a4a270fd3) по силовым GaN-транзисторам используется аналогичная формулировка: "дискретные силовые устройства GaN, работающие в режимах обогащения и обеднения"

Что касается запросов о получении более подробной информации на транзисторы, то предлагаю написать им адрес электронной почты отдела маркетинга, на который они должны отправить запрос.
Ответить

Вернуться в «Новые разработки на основе GaN»