Страница 1 из 1
силовые транзисторы на основе GaN
Добавлено: 27 окт 2020, 16:05
vasmor
На сайте НИИЭТ появилась информация о силовых транзисторах на GaN. Если авторы называют их с "индуцируемым каналом", то появляются сомнения в том , что это не фейк. Вообще-то специалисты по транзисторам так никогда не выразятся, так как канал может быть индуцированным, а не индуцируемым.
Re: силовые транзисторы на основе GaN
Добавлено: 27 окт 2020, 16:24
Alis
Спасибо большое. Это опечатка. Сейчас поправим
Re: силовые транзисторы на основе GaN
Добавлено: 07 мар 2021, 17:02
Electrovoicer
Здравствуйте, очень интересно!
Разрабатываем и производим силовые модули на GaN
http://revogan.sinftech.com/
Хотелось бы получить больше информации по вашим разработкам, предложить сотрудничество. Прошу мне дать контакты для связи.
Re: силовые транзисторы на основе GaN
Добавлено: 16 фев 2023, 10:13
Анатолий_2804
Добрый день,
есть ли возможность получить более подробную информацию (включая S параметры.) по характеристикам транзисторов 6П9145В2 и 6П9140А ? К сожалению, информации доступной на сайте недостаточно.
Спасибо!
Re: силовые транзисторы на основе GaN
Добавлено: 31 янв 2024, 11:31
ea
Здравствуйте. Что касается "индуцированного канала", то в вообще по старому, но действующему ГОСТ 19095-73 - это называется "полевой транзистор, работающий в режиме обогащения".
В новых ГОСТ (
https://fgis.gost.ru/share/page/rsprs/n ... 3a4a270fd3) по силовым GaN-транзисторам используется аналогичная формулировка: "дискретные силовые устройства GaN, работающие в режимах обогащения и обеднения"
Что касается запросов о получении более подробной информации на транзисторы, то предлагаю написать им адрес электронной почты отдела маркетинга, на который они должны отправить запрос.