1273ПН1Т, 1273ПН1АТ
Модераторы: ea, Alis, pip, gurzzza, sva, sur
Re: 1273ПН1Т, 1273ПН1АТ
Согласно ТУ, дроссели должны фиксироваться к плате клеем.
Re: 1273ПН1Т, 1273ПН1АТ
Способ фиксации дросселя в ТУ не указан.
Рекомендации по схеме применения, выбору компонентов и монтажу на плате вы можете посмотреть в руководстве пользователя.
https://niiet.ru/wp-content/uploads/202 ... D0%A21.pdf
Re: 1273ПН1Т, 1273ПН1АТ
Добрый день.
Можно ли получить на выходе микросхемы 1273ПН1БТ1 (либо 1273ПН1Т1) стабильное напряжение 1,21 В при входном напряжении 27 В, если R2=0...1 Ом (соединено напрямую) и R1 = ∞ Ом (разрыв)? Или же лучше установить резистор R1 = 240...1500 Ом, согласно РП?
Планируется применить микросхему 1273ПН1БТ1 для питания ядра микроконтроллера 1921ВК028 (1,2 В ± 20%; 1 А).
Можно ли получить на выходе микросхемы 1273ПН1БТ1 (либо 1273ПН1Т1) стабильное напряжение 1,21 В при входном напряжении 27 В, если R2=0...1 Ом (соединено напрямую) и R1 = ∞ Ом (разрыв)? Или же лучше установить резистор R1 = 240...1500 Ом, согласно РП?
Планируется применить микросхему 1273ПН1БТ1 для питания ядра микроконтроллера 1921ВК028 (1,2 В ± 20%; 1 А).
Re: 1273ПН1Т, 1273ПН1АТ
Добрый день.
Необходимо использовать резистор R1 = 240...1500 Ом.
Необходимо использовать резистор R1 = 240...1500 Ом.
Dannil_S писал(а): ↑10 окт 2022, 15:28 Добрый день.
Можно ли получить на выходе микросхемы 1273ПН1БТ1 (либо 1273ПН1Т1) стабильное напряжение 1,21 В при входном напряжении 27 В, если R2=0...1 Ом (соединено напрямую) и R1 = ∞ Ом (разрыв)? Или же лучше установить резистор R1 = 240...1500 Ом, согласно РП?
Планируется применить микросхему 1273ПН1БТ1 для питания ядра микроконтроллера 1921ВК028 (1,2 В ± 20%; 1 А).