силовые транзисторы на основе GaN

[vasmor]

На сайте НИИЭТ появилась информация о силовых транзисторах на GaN. Если авторы называют их с "индуцируемым каналом", то появляются сомнения в том , что это не фейк. Вообще-то специалисты по транзисторам так никогда не выразятся, так как канал может быть индуцированным, а не индуцируемым.

[Alis]

Спасибо большое. Это опечатка. Сейчас поправим

[Electrovoicer]

Здравствуйте, очень интересно!
Разрабатываем и производим силовые модули на GaN http://revogan.sinftech.com/
Хотелось бы получить больше информации по вашим разработкам, предложить сотрудничество. Прошу мне дать контакты для связи.

[Анатолий_2804]

Добрый день,

есть ли возможность получить более подробную информацию (включая S параметры.) по характеристикам транзисторов 6П9145В2 и 6П9140А ? К сожалению, информации доступной на сайте недостаточно.

Спасибо!

[ea]

Здравствуйте. Что касается "индуцированного канала", то в вообще по старому, но действующему ГОСТ 19095-73 - это называется "полевой транзистор, работающий в режиме обогащения".

В новых ГОСТ (https://fgis.gost.ru/share/page/rsprs/n ... 3a4a270fd3) по силовым GaN-транзисторам используется аналогичная формулировка: "дискретные силовые устройства GaN, работающие в режимах обогащения и обеднения"

Что касается запросов о получении более подробной информации на транзисторы, то предлагаю написать им адрес электронной почты отдела маркетинга, на который они должны отправить запрос.

[Ralex]

Добрый день! Возможно получить у Вас динамические характеристики ( время включения, время задержки включения, время отключения, время задержки отключения) для транзисторов ТНГ-К 65010 и ТНГ-К 65030? На сайте НИИЭТ данная информация отсутствует. Кроме того, какие драйверы для управления транзисторами серии ТНГ-К 65... Вы рекомендуете (или используете при проведении испытаний)? С уважением Александр